Lookbooks
R
X
G
страница:

BUP200


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP200 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP200
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-220AB
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP200


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP200 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP200
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-220AB
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP200


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP200 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP200
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-220AB
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск