Lookbooks
R
X
G
страница:
navigation

GT8N101


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 8A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BUP302
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT8N101


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 8A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BUP302
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT8N101


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 8A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BUP302
искать аналог:-
поиск по детали:поиск