Lookbooks
R
X
G
страница:

R2209


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
R2209 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR2209
подробная информация R2209
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

R2209


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
R2209 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR2209
подробная информация R2209
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

R2209


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
R2209 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR2209
подробная информация R2209
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск