Lookbooks
R
X
G
страница:

SC112


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCB 20V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 600mW
fT 60MHz
TJ -
SC112 - силиконовый NPN транзистор, Ucb = 20V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация SC112
OEM:VEB Halbleit... [еще]
VEB Halbleiterwerk Frankfurt/O Germany
Корпус: TO-39
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

SC112


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCB 20V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 600mW
fT 60MHz
TJ -
SC112 - силиконовый NPN транзистор, Ucb = 20V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация SC112
OEM:VEB Halbleit... [еще]
VEB Halbleiterwerk Frankfurt/O Germany
Корпус: TO-39
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

SC112


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCB 20V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 600mW
fT 60MHz
TJ -
SC112 - силиконовый NPN транзистор, Ucb = 20V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация SC112
OEM:VEB Halbleit... [еще]
VEB Halbleiterwerk Frankfurt/O Germany
Корпус: TO-39
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск