R
X
G
страница:

BUP202


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP202 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 12A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP202
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-220AB
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP202


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP202 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 12A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP202
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-220AB
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP202


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP202 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 12A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP202
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-220AB
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск