Lookbooks
R
X
G
страница:
navigation

BUP304


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ 150°C
BUP304 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 35A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP304
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP304


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ 150°C
BUP304 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 35A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP304
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP304


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ 150°C
BUP304 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 35A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP304
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск