Sprachauswahl / Language selection
 
R
X
G
страница:

BUP304


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ 150°C
the BUP304 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP304
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP304


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ 150°C
the BUP304 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP304
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP304


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ 150°C
the BUP304 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP304
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск