| GT10J303
силиконовый N-IGBT транзистор | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 10/20A | | Ptot | 30W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | Рисунок: | - | | источник: | datasheet | | | подробная информация GT10J303 | | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Корпус: | 2-10R1C | | Лист технических данных (jpg): | - | | Лист технических данных (pdf): | - | | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов:
| - | | искать аналог: | - | | | поиск по детали: | поиск |
|
