R
X
G
страница:

GT5G103


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 400V
UGE ±6V
IC 5A
Ptot 20W
TON/TOFF 1.1/2.4µS
TJ 150°C
GT5G103 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 400V, Ic = 5A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация GT5G103
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-7B5C
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT5G103


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 400V
UGE ±6V
IC 5A
Ptot 20W
TON/TOFF 1.1/2.4µS
TJ 150°C
GT5G103 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 400V, Ic = 5A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация GT5G103
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-7B5C
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT5G103


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 400V
UGE ±6V
IC 5A
Ptot 20W
TON/TOFF 1.1/2.4µS
TJ 150°C
GT5G103 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 400V, Ic = 5A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация GT5G103
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-7B5C
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT5G103


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 400V
UGE ±6V
IC 5A
Ptot 20W
TON/TOFF 1.1/2.4µS
TJ 150°C
GT5G103 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 400V, Ic = 5A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация GT5G103
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-7B6C
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT5G103


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 400V
UGE ±6V
IC 5A
Ptot 20W
TON/TOFF 1.1/2.4µS
TJ 150°C
GT5G103 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 400V, Ic = 5A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация GT5G103
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-7B6C
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT5G103


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 400V
UGE ±6V
IC 5A
Ptot 20W
TON/TOFF 1.1/2.4µS
TJ 150°C
GT5G103 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 400V, Ic = 5A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация GT5G103
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-7B6C
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск