| HGTA32N60E2
силиконовый N-IGBT транзистор | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 50/200A | | Ptot | 208W | | TON/TOFF | 100/630nS | | TJ | 150°C | | Рисунок: | - | | источник: | Harris Databook Power MOS...... [еще] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | | подробная информация HGTA32N60E2 | | OEM: | Harris Semic... [еще] Harris Semiconductors | | Корпус: | TO-218-5 | | Лист технических данных (jpg): | открыть | | Лист технических данных (pdf): | - | | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов:
| - | | искать аналог: | - | | | поиск по детали: | поиск |
|
