R
X
G
страница:

MG75J2YS50


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 75/150A
Ptot 390W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
MG75J2YS50 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 75A, применение: Мощный переключатель, Парные транзисторы, Электроприводное управление
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
подробная информация MG75J2YS50
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-94D1A
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MG75J2YS50


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 75/150A
Ptot 390W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
MG75J2YS50 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 75A, применение: Мощный переключатель, Парные транзисторы, Электроприводное управление
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
подробная информация MG75J2YS50
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-94D1A
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MG75J2YS50


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 75/150A
Ptot 390W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
MG75J2YS50 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 75A, применение: Мощный переключатель, Парные транзисторы, Электроприводное управление
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
подробная информация MG75J2YS50
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-94D1A
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск