| MG800J1US51
силиконовый N-IGBT транзистор | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 0.8/1.6A | | Ptot | 2.8kW | | TON/TOFF | 600/600nS | | TJ | 150°C | | Рисунок: | - | | источник: | Toshiba IGBT Databook 199...... [еще] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | подробная информация MG800J1US51 | | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Корпус: | 2-109E1A | | Лист технических данных (jpg): | открыть | | Лист технических данных (pdf): | открыть | | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов:
| - | | искать аналог: | - | | | поиск по детали: | поиск |
|
