Lookbooks
R
X
G
страница:

AF109


германиевый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
AF109 - германиевый PNP транзистор, Uce = 18V, Ic = 12mA, применение: Каскады осциллятора, До 260МГц, миксер, вход
Рисунок: -
источник: SH Halbleiter DB 1963
подробная информация AF109
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-18
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

AF109


германиевый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
AF109 - германиевый PNP транзистор, Uce = 18V, Ic = 12mA, применение: Каскады осциллятора, До 260МГц, миксер, вход
Рисунок: -
источник: SH Halbleiter DB 1963
подробная информация AF109
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-18
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

AF109


германиевый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
AF109 - германиевый PNP транзистор, Uce = 18V, Ic = 12mA, применение: Каскады осциллятора, До 260МГц, миксер, вход
Рисунок: -
источник: SH Halbleiter DB 1963
подробная информация AF109
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-18
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск