транзистор B676 Лист техн

B676

силиконовый PNP darlington транзистор

GFX

U_CE/U_CB

-80/-100V

I_C

-4A

h_FE

>2000

P_tot

30W

T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

T_J

B676 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор

Рисунок:

источник:

2SB676

подробная информация B676
OEM:	Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:	TO-220
Лист технических данных (jpg):	-
Лист технических данных (pdf):	-
OEM Лист технических данных:	-
Комплементарная пара: ↓	2SD686
Список аналогов: ↓	BD902, [еще] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:	искать аналог

поиск по детали:	поиск

B676

силиконовый PNP darlington транзистор

GFX

U_CE/U_CB

-80/-100V

I_C

-4A

h_FE

>2000

P_tot

30W

T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

T_J

B676 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор

Рисунок:

источник:

2SB676

подробная информация B676
OEM:	Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:	TO-220
Лист технических данных (jpg):	-
Лист технических данных (pdf):	-
OEM Лист технических данных:	-
Комплементарная пара: ↓	2SD686
Список аналогов: ↓	BD902, [еще] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:	искать аналог

поиск по детали:	поиск

B676

силиконовый PNP darlington транзистор

GFX

U_CE/U_CB

-80/-100V

I_C

-4A

h_FE

>2000

P_tot

30W

T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

T_J

B676 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор

Рисунок:

источник:

2SB676

подробная информация B676
OEM:	Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:	TO-220
Лист технических данных (jpg):	-
Лист технических данных (pdf):	-
OEM Лист технических данных:	-
Комплементарная пара: ↓	2SD686
Список аналогов: ↓	BD902, [еще] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:	искать аналог

поиск по детали:	поиск