R
X
G
страница:

B676


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
B676 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB676
подробная информация B676
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD686
Список аналогов:BD902, [еще]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B676


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
B676 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB676
подробная информация B676
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD686
Список аналогов:BD902, [еще]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B676


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
B676 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB676
подробная информация B676
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD686
Список аналогов:BD902, [еще]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SD686


силиконовый NPN darlington транзистор
Комплементарная пара для B676
GFX
UCE/UCB 80/100V
IC 4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.2/2.1µS
TJ -
2SD686 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Комплементарные пары: 2SD686
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SB676
Список аналогов:BD901, [еще]
BD901,2SD1195
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SD686


силиконовый NPN darlington транзистор
Комплементарная пара для B676
GFX
UCE/UCB 80/100V
IC 4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.2/2.1µS
TJ -
2SD686 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Комплементарные пары: 2SD686
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SB676
Список аналогов:BD901, [еще]
BD901,2SD1195
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SD686


силиконовый NPN darlington транзистор
Комплементарная пара для B676
GFX
UCE/UCB 80/100V
IC 4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.2/2.1µS
TJ -
2SD686 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Комплементарные пары: 2SD686
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SB676
Список аналогов:BD901, [еще]
BD901,2SD1195
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск