B676 силиконовый PNP darlington транзистор | | UCE/UCB | -80/-100V | | IC | -4A | hFE | >2000 | Ptot | 30W | TON/TOFF | 0.15/1.2µS | TJ | - | Рисунок: | - | источник: | 2SB676 | | подробная информация B676 | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Корпус: | TO-220 | Лист технических данных (jpg): | - | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: ↑ | 2SD686 | Список аналогов: | BD902, [еще] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
B676 силиконовый PNP darlington транзистор | | UCE/UCB | -80/-100V | | IC | -4A | hFE | >2000 | Ptot | 30W | TON/TOFF | 0.15/1.2µS | TJ | - | Рисунок: | - | источник: | 2SB676 | |
| подробная информация B676 | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Корпус: | TO-220 | Лист технических данных (jpg): | - | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: ↑ | 2SD686 | Список аналогов: | BD902, [еще] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
B676 силиконовый PNP darlington транзистор | | UCE/UCB | -80/-100V | | IC | -4A | hFE | >2000 | Ptot | 30W | TON/TOFF | 0.15/1.2µS | TJ | - | Рисунок: | - | источник: | 2SB676 | | подробная информация B676 | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Корпус: | TO-220 | Лист технических данных (jpg): | - | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: ↑ | 2SD686 | Список аналогов: | BD902, [еще] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
|