Lookbooks
R
X
G
страница:

B818


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 80W
fT -
TJ -
B818 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 10A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB818
подробная информация B818
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:2SB853
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B818


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 80W
fT -
TJ -
B818 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 10A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB818
подробная информация B818
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:2SB853
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B818


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 80W
fT -
TJ -
B818 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 10A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB818
подробная информация B818
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:2SB853
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск