R
X
G
ll
 страница:
1 .. 3667 36683668 3669 3670 3671 36723672 3673 .. 4899  
rr

первая страница

mn

кремниевые тиристоры

sc

диоды

di

транзисторы

tr

интегральные схемы

ic

маркировка SMD

smd

поиск по параметрам

L
R

C3709


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 12A
hFE -
Ptot 30W
fT 90MHz
TON/TOFF 0.2/1.2µS
C3709 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 12A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
Рисунок: -
источник: 2SC3709
подробная информация C3709
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: SOT186
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓2SA1451
Список аналогов: ↓2SC4065, [еще]
2SC4065,2SD2219
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

C3709


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 12A
hFE -
Ptot 30W
fT 90MHz
TON/TOFF 0.2/1.2µS
C3709 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 12A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
Рисунок: -
источник: 2SC3709
подробная информация C3709
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: SOT186
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓2SA1451
Список аналогов: ↓2SC4065, [еще]
2SC4065,2SD2219
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

C3709


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 12A
hFE -
Ptot 30W
fT 90MHz
TON/TOFF 0.2/1.2µS
C3709 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 12A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
Рисунок: -
источник: 2SC3709
подробная информация C3709
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: SOT186
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓2SA1451
Список аналогов: ↓2SC4065, [еще]
2SC4065,2SD2219
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск
импрессум
информация предоставляется без гарантии
Защита данных