R
X
G
страница:

E350


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -300/-300V
IC -0.5A
hFE 30-240
Ptot 20W
fT -
TJ -
E350 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 300V, Ic = 500mA, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: KSE350
подробная информация E350
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

E350


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -300/-300V
IC -0.5A
hFE 30-240
Ptot 20W
fT -
TJ -
E350 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 300V, Ic = 500mA, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: KSE350
подробная информация E350
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

E350


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -300/-300V
IC -0.5A
hFE 30-240
Ptot 20W
fT -
TJ -
E350 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 300V, Ic = 500mA, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: KSE350
подробная информация E350
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск