R
X
G
страница:

MJ1001


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 10A
hFE >750
Ptot 90W
fT -
TJ 200°C
MJ1001 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 10A, применение: Комплементарные выходные каскады (универсальные)
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ1001
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ1001


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 10A
hFE >750
Ptot 90W
fT -
TJ 200°C
MJ1001 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 10A, применение: Комплементарные выходные каскады (универсальные)
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ1001
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ1001


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 10A
hFE >750
Ptot 90W
fT -
TJ 200°C
MJ1001 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 10A, применение: Комплементарные выходные каскады (универсальные)
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ1001
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ1001


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 8A
hFE >750
Ptot 90W
fT -
TJ 200°C
MJ1001 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 8A, применение: Мощный линейный усилитель и переключатель
Рисунок: -
источник: SGS ATES Databook discret...... [еще]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
подробная информация MJ1001
OEM:Ates Compone... [еще]
Ates Component Electronics (SGS)
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ1001


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 8A
hFE >750
Ptot 90W
fT -
TJ 200°C
MJ1001 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 8A, применение: Мощный линейный усилитель и переключатель
Рисунок: -
источник: SGS ATES Databook discret...... [еще]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
подробная информация MJ1001
OEM:Ates Compone... [еще]
Ates Component Electronics (SGS)
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ1001


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 8A
hFE >750
Ptot 90W
fT -
TJ 200°C
MJ1001 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 80V, Ic = 8A, применение: Мощный линейный усилитель и переключатель
Рисунок: -
источник: SGS ATES Databook discret...... [еще]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
подробная информация MJ1001
OEM:Ates Compone... [еще]
Ates Component Electronics (SGS)
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск