R
X
G
страница:

P26


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCB 50V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P26 - силиконовый NPN darlington транзистор, Ucb = 50V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP26
подробная информация P26
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P26


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCB 50V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P26 - силиконовый NPN darlington транзистор, Ucb = 50V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP26
подробная информация P26
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P26


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCB 50V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P26 - силиконовый NPN darlington транзистор, Ucb = 50V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP26
подробная информация P26
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск