Lookbooks
R
X
G
страница:

P64


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-30V
IC -0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT 125MHz
TJ 150°C
P64 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 30V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP64
подробная информация P64
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P64


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-30V
IC -0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT 125MHz
TJ 150°C
P64 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 30V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP64
подробная информация P64
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P64


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-30V
IC -0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT 125MHz
TJ 150°C
P64 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 30V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP64
подробная информация P64
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск