R
X
G
страница:

PTB20151


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 7.7A
hFE 40
Ptot 200W
fT -
TJ -
PTB20151 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 7.7A, применение: Мощный РЧ-транзистор класса АВ с общим эмиттером, действующий при 26 В, с диапазоном 1,8 – 2 ГГц
marking code: 20151
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20151
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTB20151


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 7.7A
hFE 40
Ptot 200W
fT -
TJ -
PTB20151 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 7.7A, применение: Мощный РЧ-транзистор класса АВ с общим эмиттером, действующий при 26 В, с диапазоном 1,8 – 2 ГГц
marking code: 20151
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20151
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTB20151


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 7.7A
hFE 40
Ptot 200W
fT -
TJ -
PTB20151 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 7.7A, применение: Мощный РЧ-транзистор класса АВ с общим эмиттером, действующий при 26 В, с диапазоном 1,8 – 2 ГГц
marking code: 20151
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20151
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск