Lookbooks
R
X
G
страница:

PTB20176


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 20/45V
IC 1A
hFE 20-100
Ptot 21W
fT -
TJ -
PTB20176 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 20V, Ic = 1A, применение: Мощный РЧ-транзистор с общим эмиттером, действующий при 26 В, с 1,78 – 1,92 ГГц
marking code: 20176
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20176
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 1
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTB20176


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 20/45V
IC 1A
hFE 20-100
Ptot 21W
fT -
TJ -
PTB20176 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 20V, Ic = 1A, применение: Мощный РЧ-транзистор с общим эмиттером, действующий при 26 В, с 1,78 – 1,92 ГГц
marking code: 20176
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20176
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 1
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTB20176


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 20/45V
IC 1A
hFE 20-100
Ptot 21W
fT -
TJ -
PTB20176 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 20V, Ic = 1A, применение: Мощный РЧ-транзистор с общим эмиттером, действующий при 26 В, с 1,78 – 1,92 ГГц
marking code: 20176
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20176
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 1
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск