Lookbooks
R
X
G
страница:

R1001


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
TJ 150°C
R1001 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR1001
подробная информация R1001
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

R1001


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
TJ 150°C
R1001 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR1001
подробная информация R1001
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

R1001


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
TJ 150°C
R1001 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 50V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR1001
подробная информация R1001
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск