R
X
G
страница:

T1009


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
T1009 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 25V, Ic = 50mA, применение: Радиочастотный усилитель AM/FM
Рисунок: -
источник: KST1009
подробная информация T1009
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T1009


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
T1009 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 25V, Ic = 50mA, применение: Радиочастотный усилитель AM/FM
Рисунок: -
источник: KST1009
подробная информация T1009
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T1009


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/50V
IC 50mA
hFE 30-270
Ptot 350mW
fT >150MHz
TJ 150°C
T1009 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 25V, Ic = 50mA, применение: Радиочастотный усилитель AM/FM
Рисунок: -
источник: KST1009
подробная информация T1009
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск