R
X
G
страница:

T5550


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5550 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 140V, Ic = 600mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST5550
подробная информация T5550
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T5550


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5550 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 140V, Ic = 600mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST5550
подробная информация T5550
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T5550


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 140/160V
IC 0.6A
hFE 20-250
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5550 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 140V, Ic = 600mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST5550
подробная информация T5550
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск