Lookbooks
R
X
G
страница:

E308


силиконовый N-FET транзистор
GFX
UDS 25V
IDS 12-60mA
UGS -
RDS(ON) -
Ptot -
fT -
E308 - силиконовый NFET транзистор, Uds = 25V, применение: ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация E308
OEM:National Sem... [еще]
National Semiconductor Corporation, USA
Корпус: TO-106
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BFT10B, [еще]
BFT10B,BFT10C,2SK125
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

E308


силиконовый N-FET транзистор
GFX
UDS 25V
IDS 12-60mA
UGS -
RDS(ON) -
Ptot -
fT -
E308 - силиконовый NFET транзистор, Uds = 25V, применение: ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация E308
OEM:National Sem... [еще]
National Semiconductor Corporation, USA
Корпус: TO-106
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BFT10B, [еще]
BFT10B,BFT10C,2SK125
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

E308


силиконовый N-FET транзистор
GFX
UDS 25V
IDS 12-60mA
UGS -
RDS(ON) -
Ptot -
fT -
E308 - силиконовый NFET транзистор, Uds = 25V, применение: ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация E308
OEM:National Sem... [еще]
National Semiconductor Corporation, USA
Корпус: TO-106
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BFT10B, [еще]
BFT10B,BFT10C,2SK125
искать аналог:-
поиск по детали:поиск