R
X
G
страница:

FE3819


силиконовый N-FET транзистор
GFX
UDS ±25V
IDS 2-20mA
UGS 25V
RDS(ON) -
Ptot 300mW
fT -
FE3819 - силиконовый NFET транзистор, Ugs = 25V, применение: Каскады усилителей малых сигналов
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация FE3819
OEM:Teledyne Sem... [еще]
Teledyne Semiconductor, USA
Корпус: TO-106
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:2N3919
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

FE3819


силиконовый N-FET транзистор
GFX
UDS ±25V
IDS 2-20mA
UGS 25V
RDS(ON) -
Ptot 300mW
fT -
FE3819 - силиконовый NFET транзистор, Ugs = 25V, применение: Каскады усилителей малых сигналов
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация FE3819
OEM:Teledyne Sem... [еще]
Teledyne Semiconductor, USA
Корпус: TO-106
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:2N3919
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

FE3819


силиконовый N-FET транзистор
GFX
UDS ±25V
IDS 2-20mA
UGS 25V
RDS(ON) -
Ptot 300mW
fT -
FE3819 - силиконовый NFET транзистор, Ugs = 25V, применение: Каскады усилителей малых сигналов
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация FE3819
OEM:Teledyne Sem... [еще]
Teledyne Semiconductor, USA
Корпус: TO-106
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:2N3919
искать аналог:-
поиск по детали:поиск