Lookbooks
R
X
G
страница:

J19


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -140V
IDS -0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 800mW
fT -
J19 - силиконовый PFET транзистор, Uds = 140V, Ids = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
Рисунок: -
источник: 2SJ19
подробная информация J19
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

J19


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -140V
IDS -0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 800mW
fT -
J19 - силиконовый PFET транзистор, Uds = 140V, Ids = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
Рисунок: -
источник: 2SJ19
подробная информация J19
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

J19


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -140V
IDS -0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 800mW
fT -
J19 - силиконовый PFET транзистор, Uds = 140V, Ids = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
Рисунок: -
источник: 2SJ19
подробная информация J19
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск