R
X
G
страница:

PTE10019


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 215W
fT -
PTE10019 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 65V, применение: Для применения в сотовой связи, GSM и DAMP в диапазоне 860 – 960 МГц
marking code: E10019
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10019
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 7
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTE10019


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 215W
fT -
PTE10019 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 65V, применение: Для применения в сотовой связи, GSM и DAMP в диапазоне 860 – 960 МГц
marking code: E10019
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10019
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 7
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTE10019


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 215W
fT -
PTE10019 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 65V, применение: Для применения в сотовой связи, GSM и DAMP в диапазоне 860 – 960 МГц
marking code: E10019
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10019
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 7
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск