R
X
G
страница:

PTE10052


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 60V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 120W
fT -
PTE10052 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 60V, применение: Усилители сильных сигналов до 1 ГГц
marking code: E10052
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10052
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 5
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTE10052


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 60V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 120W
fT -
PTE10052 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 60V, применение: Усилители сильных сигналов до 1 ГГц
marking code: E10052
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10052
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 5
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTE10052


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 60V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 120W
fT -
PTE10052 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 60V, применение: Усилители сильных сигналов до 1 ГГц
marking code: E10052
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10052
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 5
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск