R
X
G
страница:

MG100Q2YS42


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 100/200A
Ptot 700W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
MG100Q2YS42 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 100A, применение: Мощный переключатель, Парные транзисторы, Электроприводное управление
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
подробная информация MG100Q2YS42
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-109C1A
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MG100Q2YS42


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 100/200A
Ptot 700W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
MG100Q2YS42 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 100A, применение: Мощный переключатель, Парные транзисторы, Электроприводное управление
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
подробная информация MG100Q2YS42
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-109C1A
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MG100Q2YS42


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 100/200A
Ptot 700W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
MG100Q2YS42 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 100A, применение: Мощный переключатель, Парные транзисторы, Электроприводное управление
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
подробная информация MG100Q2YS42
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-109C1A
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск