R
X
G
страница:

MGY30N60D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
MGY30N60D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 50A, применение: Мощный транзистор универсального назначения
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MGY30N60D
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GT50J301, [еще]
GT50J301,GT60M301
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MGY30N60D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
MGY30N60D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 50A, применение: Мощный транзистор универсального назначения
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MGY30N60D
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GT50J301, [еще]
GT50J301,GT60M301
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

MGY30N60D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
MGY30N60D - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 50A, применение: Мощный транзистор универсального назначения
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MGY30N60D
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GT50J301, [еще]
GT50J301,GT60M301
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

GT50J301


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J301 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 50A, применение: Интегрированный диод, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-21F2C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:MGY30N60D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT50J301


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J301 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 50A, применение: Интегрированный диод, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-21F2C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:MGY30N60D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT50J301


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J301 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 600V, Ic = 50A, применение: Интегрированный диод, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT50J301
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-21F2C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:MGY30N60D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

GT60M301


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
GT60M301 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 900V, Ic = 60A, применение: Интегрированный диод, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT60M301
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-21F2C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT60M301


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
GT60M301 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 900V, Ic = 60A, применение: Интегрированный диод, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT60M301
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-21F2C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT60M301


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to MGY30N60D, see note
GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
GT60M301 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 900V, Ic = 60A, применение: Интегрированный диод, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT60M301
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-21F2C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией