R
X
G
страница:

A910


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -150/-150V
IC -50mA
hFE 40-240
Ptot 800mW
fT 100MHz
TJ 150°C
A910 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 50mA, применение: Усилитель низкой частоты
Рисунок: -
источник: KSA910
подробная информация A910
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

A910


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -150/-150V
IC -50mA
hFE 40-240
Ptot 800mW
fT 100MHz
TJ 150°C
A910 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 50mA, применение: Усилитель низкой частоты
Рисунок: -
источник: KSA910
подробная информация A910
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

A910


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -150/-150V
IC -50mA
hFE 40-240
Ptot 800mW
fT 100MHz
TJ 150°C
A910 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 50mA, применение: Усилитель низкой частоты
Рисунок: -
источник: KSA910
подробная информация A910
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск