Lookbooks
R
X
G
страница:

B751B


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
B751B - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB751B
подробная информация B751B
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BD650, [еще]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B751B


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
B751B - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB751B
подробная информация B751B
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BD650, [еще]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B751B


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
B751B - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB751B
подробная информация B751B
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BD650, [еще]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск