Lookbooks
R
X
G
ll
 страница:
1 .. 843 844844 845 846 847 848848 849 .. 1676  
rr

первая страница

mn

кремниевые тиристоры

sc

диоды

di

транзисторы

tr

интегральные схемы

ic

маркировка SMD

smd

поиск по параметрам

L
R

B772


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE -
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ -
B772 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 30V, Ic = 3A, применение: Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB772
подробная информация B772
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓2SD882
Список аналогов: ↓BD786, [еще]
BD786,MJE250,..,MJE254,2SB986,2SB1217
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B772


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE -
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ -
B772 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 30V, Ic = 3A, применение: Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB772
подробная информация B772
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓2SD882
Список аналогов: ↓BD786, [еще]
BD786,MJE250,..,MJE254,2SB986,2SB1217
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B772


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE -
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ -
B772 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 30V, Ic = 3A, применение: Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SB772
подробная информация B772
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓2SD882
Список аналогов: ↓BD786, [еще]
BD786,MJE250,..,MJE254,2SB986,2SB1217
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B772


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE 60-400
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ 150°C
B772 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 30V, Ic = 3A, применение: Мощный УЗЧ, Низкие частоты, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSB772
подробная информация B772
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓KSD882
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B772


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE 60-400
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ 150°C
B772 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 30V, Ic = 3A, применение: Мощный УЗЧ, Низкие частоты, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSB772
подробная информация B772
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓KSD882
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B772


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE 60-400
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ 150°C
B772 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 30V, Ic = 3A, применение: Мощный УЗЧ, Низкие частоты, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSB772
подробная информация B772
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-126
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↓KSD882
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск
импрессум
информация предоставляется без гарантии
Защита данных