Lookbooks
R
X
G
страница:

B811


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
B811 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 1A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: 2SB811
подробная информация B811
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD1021
Список аналогов:BC636, [еще]
BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B811


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
B811 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 1A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: 2SB811
подробная информация B811
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD1021
Список аналогов:BC636, [еще]
BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B811


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ -
B811 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 1A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: 2SB811
подробная информация B811
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD1021
Список аналогов:BC636, [еще]
BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B811


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
B811 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 1A, применение: Мощный УЗЧ
Рисунок: -
источник: KSB811
подробная информация B811
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B811


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
B811 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 1A, применение: Мощный УЗЧ
Рисунок: -
источник: KSB811
подробная информация B811
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B811


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -1A
hFE 70-400
Ptot 350mW
fT 110MHz
TJ 150°C
B811 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 1A, применение: Мощный УЗЧ
Рисунок: -
источник: KSB811
подробная информация B811
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск