R
X
G
страница:

D12A8


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE 30V
IC -
hFE ≥30
Ptot -
fT -
TJ -
D12A8 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, применение: Дифференциальный усилитель, Парные транзисторы
Рисунок: -
источник: GE General Electric Semic...... [еще]
GE General Electric Semiconductors 1973
подробная информация D12A8
OEM:General Elec... [еще]
General Electric Co. GEC
Корпус: 283
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

D12A8


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE 30V
IC -
hFE ≥30
Ptot -
fT -
TJ -
D12A8 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, применение: Дифференциальный усилитель, Парные транзисторы
Рисунок: -
источник: GE General Electric Semic...... [еще]
GE General Electric Semiconductors 1973
подробная информация D12A8
OEM:General Elec... [еще]
General Electric Co. GEC
Корпус: 283
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

D12A8


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE 30V
IC -
hFE ≥30
Ptot -
fT -
TJ -
D12A8 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, применение: Дифференциальный усилитель, Парные транзисторы
Рисунок: -
источник: GE General Electric Semic...... [еще]
GE General Electric Semiconductors 1973
подробная информация D12A8
OEM:General Elec... [еще]
General Electric Co. GEC
Корпус: 283
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск