Lookbooks
R
X
G
страница:

MJD112


силиконовый NPN darlington транзистор
UCE/UCB 100/100V
IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
fT >25MHz
TJ 150°C
MJD112 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 2A, применение: Мощный транзистор универсального назначения, Переключатель
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJD112
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:CASE369A
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJD112


силиконовый NPN darlington транзистор
UCE/UCB 100/100V
IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
fT >25MHz
TJ 150°C
MJD112 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 2A, применение: Мощный транзистор универсального назначения, Переключатель
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJD112
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:CASE369A
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJD112


силиконовый NPN darlington транзистор
UCE/UCB 100/100V
IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
fT >25MHz
TJ 150°C
MJD112 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 2A, применение: Мощный транзистор универсального назначения, Переключатель
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJD112
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:CASE369A
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск