R
X
G
страница:

P8099


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE 75-100
Ptot 625mW
fT >150MHz
TJ 150°C
P8099 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 80V, Ic = 500mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KSP8099
подробная информация P8099
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P8099


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE 75-100
Ptot 625mW
fT >150MHz
TJ 150°C
P8099 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 80V, Ic = 500mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KSP8099
подробная информация P8099
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P8099


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE 75-100
Ptot 625mW
fT >150MHz
TJ 150°C
P8099 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 80V, Ic = 500mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KSP8099
подробная информация P8099
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск