R
X
G
страница:

P93


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -0.5A
hFE >25
Ptot 625mW
fT 50MHz
TJ 150°C
P93 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 200V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KSP93
подробная информация P93
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P93


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -0.5A
hFE >25
Ptot 625mW
fT 50MHz
TJ 150°C
P93 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 200V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KSP93
подробная информация P93
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P93


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -0.5A
hFE >25
Ptot 625mW
fT 50MHz
TJ 150°C
P93 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 200V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KSP93
подробная информация P93
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск