R
X
G
страница:

PTB20193


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 55/55V
IC 8A
hFE 20-120
Ptot 233W
fT -
TJ -
PTB20193 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 55V, Ic = 8A, применение: Мощный РЧ-транзистор класса АВ с общим эмиттером, действующий при 26 В, с диапазоном 1,8 – 1,9 ГГц
marking code: 20193
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20193
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTB20193


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 55/55V
IC 8A
hFE 20-120
Ptot 233W
fT -
TJ -
PTB20193 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 55V, Ic = 8A, применение: Мощный РЧ-транзистор класса АВ с общим эмиттером, действующий при 26 В, с диапазоном 1,8 – 1,9 ГГц
marking code: 20193
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20193
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTB20193


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 55/55V
IC 8A
hFE 20-120
Ptot 233W
fT -
TJ -
PTB20193 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 55V, Ic = 8A, применение: Мощный РЧ-транзистор класса АВ с общим эмиттером, действующий при 26 В, с диапазоном 1,8 – 1,9 ГГц
marking code: 20193
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTB20193
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск