Lookbooks
R
X
G
страница:

R2111


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
R2111 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR2111
подробная информация R2111
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

R2111


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
R2111 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR2111
подробная информация R2111
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

R2111


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
R2111 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
Рисунок: -
источник: KSR2111
подробная информация R2111
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск