R
X
G
страница:

SC307


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -45/-50V
IC -0.1A
hFE 56-560
Ptot 250mW
fT 355MHz
TJ 150°C
SC307 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 45V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Универсальный
Рисунок: -
источник: Mikroelektronik - Aktive...... [еще]
Mikroelektronik - Aktive elektronische Bauelemente 1989
подробная информация SC307
OEM:RFT electron... [еще]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Корпус:T3
Лист технических данных (pdf):открыть
Лист технических данных (jpg):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

SC307


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -45/-50V
IC -0.1A
hFE 56-560
Ptot 250mW
fT 355MHz
TJ 150°C
SC307 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 45V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Универсальный
Рисунок: -
источник: Mikroelektronik - Aktive...... [еще]
Mikroelektronik - Aktive elektronische Bauelemente 1989
подробная информация SC307
OEM:RFT electron... [еще]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Корпус:T3
Лист технических данных (pdf):открыть
Лист технических данных (jpg):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

SC307


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -45/-50V
IC -0.1A
hFE 56-560
Ptot 250mW
fT 355MHz
TJ 150°C
SC307 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 45V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Универсальный
Рисунок: -
источник: Mikroelektronik - Aktive...... [еще]
Mikroelektronik - Aktive elektronische Bauelemente 1989
подробная информация SC307
OEM:RFT electron... [еще]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Корпус:T3
Лист технических данных (pdf):открыть
Лист технических данных (jpg):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск