R
X
G
страница:

SCE309


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.1A
hFE 56-560
Ptot 150mW
fT >100MHz
TJ 150°C
SCE309 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Универсальный
Рисунок: -
источник: Mikroelektronik - Aktive...... [еще]
Mikroelektronik − Aktive elektronische Bauelemente 1989
подробная информация SCE309
OEM:RFT electron... [еще]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Корпус:T4
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

SCE309


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.1A
hFE 56-560
Ptot 150mW
fT >100MHz
TJ 150°C
SCE309 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Универсальный
Рисунок: -
источник: Mikroelektronik - Aktive...... [еще]
Mikroelektronik − Aktive elektronische Bauelemente 1989
подробная информация SCE309
OEM:RFT electron... [еще]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Корпус:T4
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

SCE309


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.1A
hFE 56-560
Ptot 150mW
fT >100MHz
TJ 150°C
SCE309 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 25V, Ic = 100mA, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Универсальный
Рисунок: -
источник: Mikroelektronik - Aktive...... [еще]
Mikroelektronik − Aktive elektronische Bauelemente 1989
подробная информация SCE309
OEM:RFT electron... [еще]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Корпус:T4
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск