Lookbooks
R
X
G
страница:

T24


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 350mW
fT 620MHz
TJ 150°C
T24 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, Ic = 100mA, применение: миксер, ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: KST24
подробная информация T24
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T24


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 350mW
fT 620MHz
TJ 150°C
T24 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, Ic = 100mA, применение: миксер, ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: KST24
подробная информация T24
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T24


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 350mW
fT 620MHz
TJ 150°C
T24 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, Ic = 100mA, применение: миксер, ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: KST24
подробная информация T24
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск