Lookbooks
R
X
G
страница:

T43


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 200/200V
IC 0.5A
hFE 25-40
Ptot 350mW
fT >50MHz
TJ 150°C
T43 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 200V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST43
подробная информация T43
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T43


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 200/200V
IC 0.5A
hFE 25-40
Ptot 350mW
fT >50MHz
TJ 150°C
T43 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 200V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST43
подробная информация T43
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T43


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 200/200V
IC 0.5A
hFE 25-40
Ptot 350mW
fT >50MHz
TJ 150°C
T43 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 200V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST43
подробная информация T43
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск