R
X
G
страница:

T5401


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -150/-160V
IC -0.5A
hFE 50-240
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5401 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST5401
подробная информация T5401
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T5401


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -150/-160V
IC -0.5A
hFE 50-240
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5401 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST5401
подробная информация T5401
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T5401


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -150/-160V
IC -0.5A
hFE 50-240
Ptot 350mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5401 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 500mA, применение: Высокое напряжение
Рисунок: -
источник: KST5401
подробная информация T5401
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск