R
X
G
страница:

2SJ12


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -20V
IDS -0.09--0.9mA
UGS -
RDS(ON) -
Ptot -
fT -
2SJ12 - силиконовый PFET транзистор, Uds = 20V, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация 2SJ12
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

2SJ12


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -20V
IDS -0.09--0.9mA
UGS -
RDS(ON) -
Ptot -
fT -
2SJ12 - силиконовый PFET транзистор, Uds = 20V, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация 2SJ12
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

2SJ12


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -20V
IDS -0.09--0.9mA
UGS -
RDS(ON) -
Ptot -
fT -
2SJ12 - силиконовый PFET транзистор, Uds = 20V, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация 2SJ12
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск