Lookbooks
R
X
G
страница:

IRF9Z10S


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -50V
IDS DC/AC -4.7A / -19A
UGS 20V
RDS(ON) <0.5Ω/2.5A
Ptot 20W
TON/TOFF 80/79nS
IRF9Z10S - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 50V, Ids = 4.7A, применение: Полевой транзистор с вертикальной геометрией
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация IRF9Z10S
OEM:Internationa... [еще]
International Rectifier Corp. USA
Корпус:TO-262,TO-263
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

IRF9Z10S


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -50V
IDS DC/AC -4.7A / -19A
UGS 20V
RDS(ON) <0.5Ω/2.5A
Ptot 20W
TON/TOFF 80/79nS
IRF9Z10S - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 50V, Ids = 4.7A, применение: Полевой транзистор с вертикальной геометрией
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация IRF9Z10S
OEM:Internationa... [еще]
International Rectifier Corp. USA
Корпус:TO-262,TO-263
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

IRF9Z10S


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -50V
IDS DC/AC -4.7A / -19A
UGS 20V
RDS(ON) <0.5Ω/2.5A
Ptot 20W
TON/TOFF 80/79nS
IRF9Z10S - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 50V, Ids = 4.7A, применение: Полевой транзистор с вертикальной геометрией
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация IRF9Z10S
OEM:Internationa... [еще]
International Rectifier Corp. USA
Корпус:TO-262,TO-263
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск